정보통신실험

02주 - 정류회로

시뮬레이션

1. 다이오드 반파정류 회로

- 회로를 그린다.

- 전압프로브를 사용하여 vi, vL 파형을 도시

- 'Trace' 메뉴의 커서를 이용하여 vi, vL 최대값 측정

- 최대값 = ( ) V

- 최대값 = ( ) V

Start simulation. Pspice -> Run, then simulation result will be displayed.

Time domain simulation result

2. 다이오드 반파정류 회로 + 커패시터 평활 회로

- 1번 실습과 동일한 방법 적용하여 vi, vL 파형 도시, 최대값 측정

- 최대값 = ( ) V

- 최대값 = ( ) V

.

- vL 그래프의 수직 스케일을 조정하여 리플파형이 확대되어 보이게 한다. vi의 프로브를 회로에서 제거하면 vL의 그래프의 스케일이 자동으로 조정되어 리플 파형을 볼 수 있다.

- 'Trace' 커서를 이용하여 최대값 측정: ( ) V

- 'Trace' 커서를 이용하여 최소값 측정: ( ) V

- 최대값에서 최소값을 뺀 것이 리플 전압:

리플전압 (peak-to-peak) = ( ) mV

3. 다이오드 반파정류 회로 + 커패시터 평활 회로

1) 동시에 관측

- 최대값 = ( ) V

- 최대값 = ( ) V

2) 동시에 관측

- 최대값 = ( ) V

- 최대값 = ( ) V

3) 동시에 관측

리플전압 (peak-to-peak) = ( ) mV

4) 동시에 관측

- 리플전압 (peak-to-peak) = ( ) mV