실험 3: 정류회로

1. 실험회로

ㅇ 동작원리

- 함수발생기: 테브난 등가회로로 표현. 내부저항 Rs는 50Ω. 부하저항이 50Ω일 경우 설정한 전압이 나오며 개방일 경우 설정전압의 2배가 나옴.

- 다이오드 D1: 전류를 순방향으로만 흐로게 함.

- R1: 부하저항 (DC 출력전압 V2를 사용하는 장치)

- C1: 반파정류파형을 DC 전압으로 만든다.

Vs:

Vs1 = Sinewave, 10Vpp, 0V offset, 100Hz, source impedance Rs = 50 ohms

D1: 1N4148

C1: 100uF, 50V, electrolytic

R1:

R1-100 = 100-ohm, brown-black-brown, axial lead

R1-1k = 1k-ohm, brown-black-red, axial lead

R1-10k = 10k-ohm, brown-black-red, axial lead

2. 회로실험

ㅇ 컴퓨터를 이용 보고서 파일 작성하여 조교에게 검사 받음.

ㅇ 다음 실험을 수행하면서 이론을 같이 생각하여 반파 정류회로의 동작원리를 이해한다.

1) 함수발생기 부하저항 조정

[Top Menu], [Output Menu], [Load Impedance], [50Ω]

2) 함수발생기 내부저항 확인

Vs = Vs1, C1 = 제거, D1 = 단락, R1은 R1-100, R1-1k, R1-10k로 변경하면서 V2를 오실로스코프로 측정

R1-100일 경우: max(V1) = 측정치 ( ) V, 이론치 ( ) V

R1-1k일 경우: max(V1) = ( ) V, 이론치 ( ) V

R1-10k일 경우: max(V1) = ( ) V, 이론치 ( ) V

3) 커패시터 충전 측정

Vs = Vs1, C1 = 사용, D1 = 사용, R1= 제거, V1을 오실로스코프로 측정

V2 = 측정치 ( ) V, 이론치 ( ) V

4) 반파정류 측정

Vs = Vs1, C1 = 제거, D1 = 사용, R1은 R1-100, R1-1k, R1-10k로 변경하면서 V1과 V2를 오실로스코프로 동시 측정

R1-100일 경우: max(V1) = ( ) V, max(V2) = ( ) V

R1-1k일 경우: max(V1) = ( ) V, max(V2) = ( ) V

R1-10k일 경우: max(V1) = ( ) V, max(V2) = ( ) V

5) 반파정류 + 평활회로 측정

Vs = Vs1, C1 = 사용, D1 = 사용, R1은 R1-100, R1-1k, R1-10k로 변경하면서 V1과 V2를 오실로스코프로 동시 측정

R1-100일 경우: max(V1) = ( ) V, avg(V2) = ( ) V, ripple(V2) = ( ) Vpp

R1-1k일 경우: max(V1) = ( ) V, avg(V2) = ( ) V, ripple(V2) = ( ) Vpp

R1-10k일 경우: max(V1) = ( ) V, avg(V2) = ( ) V, ripple(V2) = ( ) Vpp

3. PSpice 시뮬레이션

위 5)항을 PSpice로 시뮬레이션한다.

Vs = Vs1, C1 = 사용, D1 = 사용, R1은 R1-100, R1-1k, R1-10k로 변경하면서 V1과 V2를 오실로스코프로 동시 관측

R1-100일 경우: max(V1) = ( ) V, avg(V2) = ( ) V, ripple(V2) = ( ) Vpp

R1-1k일 경우: max(V1) = ( ) V, avg(V2) = ( ) V, ripple(V2) = ( ) Vpp

R1-10k일 경우: max(V1) = ( ) V, avg(V2) = ( ) V, ripple(V2) = ( ) Vpp

4.